AI 驱动下的 DRAM 与 NAND 闪存市场:供需变局、厂商动态与价格趋势分析

多客科技

作者：微信文章


当前 DRAM 与 NAND 市场正面临严峻的结构性供需失衡，存储原厂库存已降至历史警戒水平。SK 海力士和美光库存周期仅 2 周，三星为 6 周，均远低于行业平均 8 周的安全线，市场缓冲能力几近枯竭

。这一局面由 AI 需求爆发、HDD 供应链断裂及产能错配共同驱动，形成 “需求激增 - 供应收缩 - 库存告急” 的恶性循环。
HDD 减产成为 NAND 供应链紧张的导火索。受西部数据、希捷等厂商无扩产计划影响，近线 HDD（Nearline HDD）供应短缺，交付周期延长至 52 周，迫使北美云服务商加速将冷数据存储从 HDD 转向企业级 SSD。TrendForce 数据显示，2026 年全球企业级 SSD 需求将达 3392 亿 GB，同比增长 35%，其中 AI 服务器贡献 2180 亿 GB，占比提升至 20%。HDD 向 SSD 的订单转移，进一步挤压本已紧张的 NAND 产能。
AI 服务器的存储需求特征彻底重构市场格局。与传统服务器相比，AI 服务器单机存储容量提升 3-5 倍，且对存储性能要求显著提高。以北美四大云服务商为例，其 2025/26 年 AI 资本支出预计同比增长 81%/64%，直接拉动 DDR5、HBM 及企业级 SSD 需求爆发。一台 AI 服务器的内存消耗量相当于 8 台普通服务器，叠加 NVIDIA Blackwell 芯片下半年出货放量，高端存储产品进入 “抢货” 阶段。
原厂产能策略加剧供需错配。DRAM 领域，三星、SK 海力士、美光将产能优先分配给 HBM 和 DDR5，2025 年底停止接收 LPDDR4X 新订单，DDR4 颗粒价格自 2025 年 2 月起止跌回升，25Q2 涨幅基本翻倍。NAND 领域，海外原厂自 2024 年 12 月起减产 10%-15%，同时加速向 200 层以上先进制程迁移，低阶产品供应收缩，25Q2 TLC 颗粒价格温和上涨 3%-8%。产能向高端倾斜导致旧制程产品 “供需剪刀差” 扩大，LPDDR4X 合约价 2025Q3 逆势暴涨 24%-36%。
供需失衡闭环逻辑：AI 算力基建拉动高端存储需求→原厂产能向 HBM/DDR5/200 层 NAND 倾斜→旧制程供应收缩→HDD 短缺倒逼 SSD 替代需求→库存快速消耗至安全线以下→价格进入上涨周期。这一结构性矛盾短期内难以缓解，2026 年存储市场或面临更严峻的供应缺口。
核心厂商动态：涨价潮与产能重构

原厂层面：涨价与产能高端化并行
DRAM 领域呈现 “价格暴涨 + 产能迁移” 双重特征。三星作为行业龙头，于 2025 年第四季度对 DRAM 产品提价 30%，涵盖 LPDDR4X、LPDDR5/5X 等品类，其涨价逻辑源于老款产品产量缩减及云企业 AI 服务器需求激增，而该公司在 DRAM 市场 32.7% 的份额进一步放大了涨价效应。美光同步跟进，宣布全系列存储产品涨价 20%-30%，并于 9 月 12 日起暂停报价一周，协议客户价格全部取消，同时明确 DDR4、LPDDR4 产品最终发货截止至 2026 年第一季度，标志着旧制程产能加速退出。产能分配上，三星、海力士、美光三大原厂将资源优先倾斜至服务器 DDR5 和 HBM，海力士 HBM3 现货迅速售罄，三星平泽园区第五代 V-NAND 产线月产 25 万片仍难以满足 AI 订单需求，高端产能挤占进一步压缩了传统产品供给。
NAND 市场涨价潮由闪迪（西部数据子公司）于 2025 年 9 月 4 日率先启动，对渠道及消费者客户产品提价 10%+，归因于北美企业级 eSSD 高景气与低端供给偏紧。三星随后通知大客户，第四季度 NAND 类 eMMC/UFS 协议价格预计上涨 5%-10%。控制芯片环节，群联电子在暂停报价后恢复部分客户订单，价格上调约 10%，成为 NAND 涨价的重要传导信号，反映 AI 驱动下 SSD 需求激增对产业链的拉动。产能端，NAND 原厂通过减产 10%-15% 及向 200 层以上高阶产品迁移，凯侠强化 QLC 领域优势，长江存储 232 层闪存通过苹果验证，行业整体呈现 “低端收缩、高端竞争” 格局
。
模组厂层面：供应链策略调整加剧市场分化
威刚于 2025 年 9 月 29 日宣布停止 DDR4 报价，转而优先供应 DDR5 和 NAND 产品，这一策略直接减少了消费级 DDR4 市场流通量，与原厂 DDR4 停产计划形成共振，进一步固化了低阶内存供需紧张格局
。国内模组厂江波龙、佰维存储、德明利等则受益于涨价传导，2025 年 9 月 1 日至 26 日股价分别累计上涨 47.71%、27.87%、82.68%，德明利年内涨幅近 200%，反映市场对存储产业链利润向上游迁移的预期。
关键信号总结：三星 30% DRAM 涨幅与群联 10% NAND 控制芯片涨价，分别成为两类产品价格周期反转的标志性事件；威刚 9 月 29 日停止 DDR4 报价与美光 DDR4 停产通知，标志着存储行业从“产能扩张”向“结构性短缺”的转型加速。
整体来看，核心厂商通过 “主动涨价 - 产能迁移 - 供应链收缩” 的组合动作，在 AI 需求爆发与旧制程淘汰的双重驱动下，正将存储市场推向供需紧平衡的新阶段。DRAM 与 NAND 市场 CR3/CR5 超 90% 的垄断格局，使得头部厂商的决策对全球价格趋势具备极强的掌控力。
价格趋势预测：合约价与现货价全面上扬

2025 年第四季度，全球 DRAM 与 NAND Flash 市场价格进入全面上扬通道，供需失衡与 AI 需求爆发成为核心驱动因素，合约价与现货价呈现同步加速增长态势，且新旧制程产品因市场预期差异呈现结构性分化。
DRAM 市场：结构性上涨凸显，HBM 与 DDR4 领涨
DRAM 价格呈现显著的结构性分化特征。DDR5作为当前主流制程，其合约价预计上涨 10%-15%，现货价涨幅达 15%-25%，部分高性能产品如 DDR5 RDIMM 涨幅或超 15%。而DDR4因原厂产能逐步收缩、停产预期强化，价格弹性更大，合约价涨幅逾 10%，现货价逾 15%，2025 年二季度主流 DDR4 颗粒价格已实现翻倍，PC 端 8Gb DDR4 颗粒价格达 6.3 美元，创年内新高
。
HBM作为 AI 算力核心需求产品，价格涨幅持续领跑。TrendForce 预计 2025 年 Q4 整体 DRAM 价格环比增长 8%-13%，若计入 HBM 则涨幅扩大至 13%-18%，其中 HBM 价格环比增长 13%-18%，显著高于传统 DRAM。这一差异主要源于 HBM 渗透率快速提升（Q4 预计达 11%）及 AI 服务器需求爆发，推动供应链持续紧张。
NAND Flash 市场：加速上涨通道开启，企业级与 eSSD 领涨
NAND Flash 价格在供需改善与 AI 需求拉动下进入加速上涨阶段。TrendForce 预计 2025 年 Q4 各类产品合约价全面上涨，平均涨幅 5%-10%，其中企业级 SSD因数据中心 AI 存储需求爆发，价格环比涨幅或超 10%，部分产品交货周期已延长至 52 周
。eSSD作为 AI 服务器关键存储组件，四季度涨幅预计达 10%，Phison 等控制器厂商恢复报价时价格已上调约 10%。
从长期趋势看，NAND Flash 涨幅呈现逐步扩大态势。2025 年二季度价格温和上涨 3%-8%，三季度综合价格指数上涨 5%，9 月单月涨幅达 4.7%，行业预计未来几个月涨幅可能高达 30%，美光等原厂调整幅度或介于 10%-30%
。这一趋势不仅受 AI 需求驱动，HDD 向 SSD 的替代浪潮及 QLC SSD 在消费电子领域的渗透，进一步放大了存储介质的结构性需求缺。
核心驱动因素：上游原厂涨价态度强势，叠加AI服务器、PC及数据中心需求共振，DRAM与NAND Flash供需格局持续改善。截至2025年9月，DRAM与NAND Flash价格指数年内累计涨幅超70%，存储芯片板块单月涨幅达18.54%，行业对四季度涨价预期已形成共识，实际涨幅可能超原有预期。
价格涨幅的逻辑分层清晰：DRAM 市场中，DDR4 因停产预期涨幅超 DDR5，HBM 因 AI 算力需求涨幅领先；NAND 市场则受益于 HDD 替代与 AI 存储需求双重拉动，企业级产品涨幅显著高于消费级。TrendForce 等机构数据显示，此轮价格上涨并非短期波动，而是供需结构重构下的持续性趋势，2025 年四季度至 2026 年行业价格有望进一步上升。
2025 年 9 月服务器 DDR5 内存部分产品价格
整体来看，存储芯片市场正处于新一轮价格上涨周期，DRAM 的结构性分化与 NAND 的加速增长共同构成市场核心特征，原厂产能调控与下游需求爆发的持续博弈将决定未来价格走势的斜率与持续性。
AI 需求驱动：从算力基建到周期重构
本轮存储行业上行周期与 2016-2019 年消费电子驱动、2020-2023 年疫情需求拉动的模式截然不同，核心驱动力已转向大型科技公司的 AI 算力基建，呈现出更强的持续性与结构性特征
。AI 服务器单机存储容量达传统服务器的 3-5 倍，以英伟达 H100 为例，需搭载 32TB-132TB NAND、2TB-4TB DDR5 及 640GB HBM，其中 HBM 因高带宽特性成为 AI 加速卡价值中枢，在高端 GPU 物料成本占比突破 50%。技术迭代进一步强化需求，HBM3e 当前位元份额超 75%，HBM4 预计 2025 年底推出，DDR5 在服务器端渗透率 2025 年将超 85%。
算力基建投入规模奠定长期增长基础。阿里云计划未来三年投入超 3800 亿元，OpenAI 拟投资 4000 亿美元新建 5 个 AI 数据中心，海外 CSP 2025/26 年 AI CAPEX 同比预计增长 81%/64%，直接推动全球 AI 服务器市场规模 2025 年达 2751 亿美元（+64%）、2026 年 4139 亿美元（+50%）。这种十年维度的技术革命驱动，使存储需求从周期性补库存转向结构性增长，服务器在 NAND 应用占比从 2023 年 16% 提升至 2025 年 30%，企业级 SSD 需求 2026 年将达 3392 亿 GB（+35%），其中 AI 服务器贡献 2180 亿 GB（+55%）。
周期逻辑重构核心差异：前两轮周期依赖消费端换机潮，标准化产品主导导致波动剧烈；本轮由AI算力、HBM技术升级与产能战略转移驱动，三大DRAM原厂优先分配先进制程给Server DRAM和HBM，WSTS预测2025-2026年存储市场将持续增长12%/16%至1848/2148亿美元，标志行业从周期波动向技术驱动转型。
机构观点普遍强化这一趋势。东北证券指出全球存储产业正经历历史性转型，美光强调 AI 需求已扩散至数据中心、PC、车用等多领域，存储厂商产能结构性倾斜与云服务商千亿级投入形成共振，支撑本轮行情的持续性与盈利弹性。
未来市场展望：景气度延续与风险提示

机构普遍预测存储行业景气度将延续至 2026 年下半年，核心支撑来自供需两端的结构性矛盾：需求端，AI 数据中心需求的持久性与 HDD 替代效应形成叠加动力；供给端，NAND 原厂谨慎的 CAPEX 规划（多数供应商资本支出聚焦先进制程转移而非扩产）预计在 2026 年形成 15%-20% 的供需缺口，叠加北美 CSP 上调 CAPEX 带来的增量需求，市场供应短缺风险显著。
技术迭代将进一步重塑市场格局：DRAM 领域，HBM4 推出可能导致供应商在 2026 年上半年进一步转向高阶产品生产，挤压 DDR5 及 PC DRAM 供应；NAND 领域，QLC SSD 出货量有望于 2026 年迎来爆发式增长，推动大容量存储应用普及并优化需求结构。
风险提示：需警惕AI服务器需求不及预期、全球宏观经济复苏放缓压制消费电子需求，以及地缘政治风险对产能布局与供应链稳定性的冲击。此外，NAND技术升级及成本下降进程若滞后，可能加剧供需矛盾。
结论：AI 时代存储市场的结构性变革
AI 需求正引发存储市场根本性重塑，推动行业从消费电子驱动转向 AI 数据中心驱动，形成供需紧张、价格上涨、周期持续性增强的结构性变革
。供给端，头部原厂主动收缩 DDR4 等旧制程产能，向 HBM、DDR5 及 200 层以上 NAND 等高利润产品倾斜，加剧供需失衡
；需求端，AI 算力基建带动服务器存储需求爆发，单机存储价值量较传统服务器提升 3-5 倍
三大核心结论：一是供需紧张呈刚性，原厂产能结构性调整形成“紧平衡”；二是价格涨幅超历史周期，2025 年四季度 DRAM 涨幅达 15%-30%、NAND 达 5%-20%
；三是周期逻辑从库存周期转向“AI 算力需求-技术升级-产能重构”驱动，持续性延至 2026 年下半年
技术驱动与需求转型双重作用下，存储芯片从周期性产品向战略资源转变，头部厂商掌控定价权，模组厂弹性显现。国产替代在利基市场加速，江波龙企业级存储收入 2024 年激增 666.3%，兆易创新发力利基 DRAM，A 股德明利、澜起科技等标的受益于行业变革。