AI驱动存储市场强劲复苏,三星电子艰难守城利润腰斩

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作者：微信文章
三星电子季度利润自2023年以来首次下降。根据今天发布的业绩指引，三星电子2025年第二季度预计营业利润为4.6万亿韩元（约合33亿美元），同比下降约56%，降幅高于市场预期的41%。完整的季度报表预计将于本月下旬发布。

三星表示本季度利润下滑和一次性的存货成本增加有关，同时先进存储产品的客户评估和发货仍在推进中。此外，三星认为随着需求复苏，芯片代工业务的营业亏损也会在下半年收窄。



图：三星电子代工业务工艺节点

三星代工事业部从2023年开始亏损，两年内累计亏损超过7万亿韩元。受美国对华芯片出口限制以及持续较低的产能利用率影响，代工业务亏损也成为2025年第一季度公司利润下滑的主要原因之一。
Newsway，路透社

三星一直在高带宽内存芯片（high-bandwidth memory (HBM)）领域挣扎，这类存储芯片对于英伟达的AI加速器发挥性能而言至关重要。然而三星最先进的存储器——12层HBM3E——目前仍未获得英伟达认证，这给竞争对手SK海力士在这一利润丰厚的市场中创造了非常长的交货准备时间。同时，美国的竞争对手美光科技也在迅速取得进展。

HBM（High‑Bandwidth Memory，高带宽内存）是一种专为高性能计算与GPU设计的3D堆叠DRAM技术，可以借助硅中介层（interposer）与 GPU/AI 处理器紧密连接，形成“2.5D 架构”，支持极宽的数据总线。相比之下，DDR类DRAM带宽较低、延迟和功耗适中、使用成熟的低成本工艺，更适合PC和服务器通用内存应用。
Wikipedia，Rambus

图：HBM3E示意图
在正式的二季度报表发布前，彭博引用分析师预测，三星电子芯片业务的营业利润预计为2.7万亿韩元，而今年一季度该部门实现营业利润1.1万亿韩元，2024年第二季度为6.5万亿韩元，此后连续三个季度下滑。

图：三星电子芯片业务季度营业利润
此前，三星在四月份季度会中表示，已经向大客户交付了HBM3E样品，预计该产品会对第二季度收入做出贡献，同时计划下半年开始量产HBM4芯片。然而SK海力士已经将自己定位为英伟达的主要HBM4供应商，海力士已经交付了业内首个12层HBM4样品。

Bernstein上个月的一份报告称，预计SK海力士的优势会持续到2027年，但其他厂商会赶上并削弱前者的优势，市场份额会趋于平均。Bernstein估计2025年HBM市场中，SK海力士占比57%左右，三星和美光分别占27%和16%。

从整个DRAM市场来看，2025年一季度SK海力士的营收占比已经超过第二名三星，前三大厂商份额依次为：海力士36%，三星34%，美光25%。而两年前的2023年三星在DRAM市场仍占据统治地位：三星43.4%，SK海力士28.3%，美光23.1%。



图：2025年第一季度DRAM市场份额
在NAND闪存市场，尽管三星近几年的份额略有下降，但最新统计显示其在2024年仍以31%的市场占比稳居全球NAND第一，特别是在智能手机NAND领域优势更加明显，第二名SK海力士通过收购扩产，份额约为18%，铠侠以微弱劣势紧随其后，美光、WD、英特尔等二线厂商合计份额约34%。当前DRAM季度价格指数表明，DRAM市场正由底部回升（2025年第一季度）进入强势复苏期（2025年第二、三季度），TrendForce预测整体 DRAM 合约价格将在第三季度上涨 15–20%，主要受益于AI和服务器需求驱动。从NAND闪存价格来看，三星和海力士等主要厂商在今年一季度大幅减产10%以上以主动控制产量，叠加AI驱动和关税导致的OEM厂商提前备货，当前NAND市场正处于复苏期，现价和合同价涨幅明显，后续反而应该关注价格调整风险。