请教 电子亲和能 与 电负性 的区别? 以及亲合能 与 电离能的联系
电子亲和能 与 电负性 的区别是啥?二者都表征元素的非金属性强弱,
电负性最大元素的是氟,电子亲和能最大的元素是氯,是否要考虑分解分子那部分能量么,还是要考虑电子呈对核电荷的部分屏蔽
[ 本帖最后由 熊猫羊 于 2006-9-27 21:09 编辑 ] 呵呵，搞笑，刚刚我还想问一个类似的问题，“电离能和电子亲合能是否一样大？”，结果你问了这个，有趣，有趣 affinity 和 negativity?
affinity是在真空中得到一个电子的能力
negativity是指在化学键上吸引电子的能力
两者区别就在条件上
学这些东西之前要先把概念搞清楚，每个字都不能错
其实我一开始也是死记硬背，结果有次口试我就给说错了，被教授要求说出区别，现在才搞懂了 还有一个问题，那么，对于金属来说，是否 Affinity (亲合势) 和 电离能（ionizing energy）相等呢？假设亲合势是原子从基态得到一个电子，释放的能量，而电离能是原子从基态失去一个电子需要的能量，那么两者是否应该相等？ 再开个帖子吧 就在这里讨论吧，要不然还要再提一遍问题。 原帖由 eisenstange 于 2006-9-27 13:40 发表
还有一个问题，那么，对于金属来说，是否 Affinity (亲合势) 和 电离能（ionizing energy）相等呢？假设亲合势是原子从基态得到一个电子，释放的能量，而电离能是原子从基态失去一个电子需要的能量，那么两者是否 ...
不相等
从定义上理解，电离能是原子失去一个电子需要的最小能量，对金属来说就是指它的功函数，实际上是从费米能级（femi energy)到真空能级(vacuum energy）的能量之差
而亲和势则是指在真空中得到一个电子的能力，但是是原子得到一个电子，所释放的能量
一个是得电子，一个是失电子，二者的化学价态是不一样的，一个被氧化一个被还原，能量当然不一样 恩，我也是这么理解的，这两个正好是逆过程，但是还有一个问题，也是我主要不太明白的问题：有一个概念叫逸出功，用来衡量将电子从原子内拉到真空中需要的能量，德语是 Austrittarbeit， 在半导体中，这个逸出功等于费米能量级到导带能量级之差，加上掺杂半导体的亲合势，而金属的逸出功就等于亲合势，如果亲合势是表征原子得到电子释放的能量，为什么这里不用电离能呢？谢谢。 我觉得你好像混淆了几个概念。首先我不知道你说的金属的逸出功是否就是我指的workfunction (功函数），我认为是的，这个的定义是指从femi能级到vacuum能级的差，或者说the minimum energy (usually measured in electron volts) needed to remove an electron from a solid to a point immediately outside the solid surface. 说法不一样，大致区别不大，这个已经是固体范围了，而不是原子的范围，怎么可能逸出功就等于亲和势？我第一次听到这种说法。另外已经解释了的亲和势和电离能的区别。
还有你上面提到的计算半导体的逸出功，你提到了一个参杂半导体的亲和势，我不知道你对半导体理解多少，但是参杂半导体意味着半导体的费米能级已经相对于本正半导体发生了变化，在近似计算的时候可以使用。而且对于非米能级在半导体中和在固体物理中二者的定义有所不同。半导体的费米能级就是到带和价带能量之和的二分之一，而固体物理中，费米能级指的是电子所能填充的最高能级。如果你想搞懂这方面的东西，最好找一本固体物理的树好好看一下，你的概念还是不是很清楚，一般我认为书要读至少两遍才能真正理解里面的意思 没错，你说的对，金属的逸出功等于Workfunktion.我又看了一遍 Banddirgram，上面只给出了金属的逸出功，而没有说这个逸出功由亲合势构成，我当时看错了，而另一边在半导体上，逸出功的大小，等于从Fermi级到真空中的能量差，同时也等于从导带低到真空的能量差（这里定义为亲合势），加上Fermi级到导带低的能级差。
半导体在没有掺杂前确实是Fermi能级在禁带的中间，我们管这个能级叫 Intrinsich Fermi 级，因为MWG(Massenwirkungsgesetz)，如果搀入了三价或者五价的原子后，Fermi级将会向下或者向上移。对于你的后半段我还是不太明白。 参杂以后为什么费米能级会上移或者下移呢？这个是由donant决定的，如果是n型半导体，则会在本正半导体的价带上方产生一层导带，电子可以直接从夹带跃迁到donor形成的导带中，而费米能级就在两者之间。p型半导体道理相同，不过在本征半导体的导带下方形成一层价带层，电子可以从这里跃迁到原来的导带中。
实际上费米能级是有它自己的物理意义的，并不是简单的在导带和价带的二分之一处，费米能级是电子所能占有的最高能级，就是说一个固体有若干电子，这些电子根据能量大小占据了不同的能级，就像排队一样，当所有的电子都排完以后，最后最高的能级处，就是费米能级，这是物理上的定义。在半导体物理中和一些工程计算中，为了计算中的方便，便定义费米能级为导带和价带的中间。
希望你能明白我说的意思
你说的那些亲和势和逸出功的关系，实际上你画一个图就很好理解了，因为导带的最低处是电子能占有的最低能级，所以他到真空能级的差就是得到一个电子所能放出的最高能量。而逸出功是从费米能级处算得，所以加上这部分能量，自然就是逸出功的大小了。
mm我觉得你好像这些东西并不理解，都是在死记硬背，这样子考试的时候会出问题的，恕我直言 恩，这个地方确实我不太能理解，因为问题多多。如果说导带最低处是一个电子能占据的最低能级，那当电子在共价键中也就是Valenz Bond中的能量又比导带的能量来的更低。而且在当一个电子在共价键中得到足够的能量，共价键被打破以后，除了一个电子跳到导带上，在禁带又出现了一个Defektelektorn，即我们所谓的空穴，这个空穴竟然也有能量，这就对我来说很难理解。因为空穴实际上是两个原本应该共享两个电子的两个质子现在却只共享了一个电子，凭什么人们认为这个空穴是电子的能量表现，同时能量级是在价带呢？
其次在我们学的Fermi-Dirac统计中， Ferimi级，实际上是所有电子和空穴的平均能量级的统计平均值，而不是单个电子的最高能级，因为势必有电子在导带，也有空穴（Defektelektron）在禁带。这是从微观到宏观的转化的函数。对于排队的，我觉对更像是波尔－索末菲的原子模型，和电子按照的四个量子数来占据轨道。
最后，如果导带的最低处是电子能占据的最低能级，而他从导带底到真空的状态变换，我认为应该是半导体原子失去了一个电子，而不是得到一个电子，从而导致了我对这个亲合势的不理解，为什么不是电离能？ 你说错了，费米能级是电子能占有的最高能级，但并不是导带的最低能级，而是价带的最高能级，这样你的疑惑应该会解决了吧
另外，Fermi-Dirac统计理论我们没有学，学的主要是固体物理中的定义，因为在计算DOS以及理解能级的理论的时候是需要这个定义的。确实并不是轨道完全排满以后才排下一个电子，但是这个讲起来就有复杂了，有好多个模型，比如openshell, close shell 之类的，你要是不涉及这些应该不需要管。 有可能，确实我在看其他的书的时候，有看到国Ferimi级。定义不是Fermi-Dirac统计的级。可能我们讲的不是一个东西。
不过，从导带低到真空的能量差是吸收一个电子的需要的能量，我还是不能理解。因为在未加电的情况下，半导体都是电中性的，而加了电压后，电子被吸出来，能带电，应该是半导体失去电子，当然动态情况下，另一边Source会补充新的电荷，但在局部，即表面上，很难理解是亲合势。 讲的肯定是一个东西，不过不同的定义，不同的假设而已。
导带的最低能级到真空能级是吸收一个电子所能放出的最大能量，这个不是一个定义，而是根据定义得出的一个结论，你画一个能级图就可以很明显的得出这个结论。
而半导体的这个东西不能这么理解，因为所谓的半导体是指在通常条件下不导电，而在特定条件下导电，电子只是通过半导体移动，这个半导体更可以在加电压的条件下理解为导体。实际上导体和半导体的定义很模糊的，只是根据能隙的大小给出了一个界限，而导体的导带和价带其实也不完全是连续的，中间也有能隙，不过比较小而以。
所以你不能那样子理解，就像你不能把电线导电理解成是电线发生了氧化还原的过程一样 那个亲和势再详细地讲就是，根据定义是在真空中吸收一个电子所能放出的能量，这个电子就是用真空能级到了电中性的原子中，由于原子的价带是满的，电子只能在导带中停留，这样的话，电子所能带的最低能级就是导带中的最低能级，这个能量差就是所放出的能量 恩，现在我终于有点明白了，是不是这样。
对于一个中性原子来说，比如一个核为＋4，带4个电子的原子，尽管原子外的轨道数的无穷多的，但在正常情况下，它对4个电子的束缚能力最强，虽然有电子能进入他的外轨道，但这个电子和质子的引力是偏弱，在这种情况下，原子吸引一个真空中的电子到它的外轨道，所释放的能量，叫亲合能，同样这个外轨道的电子得到同样的电荷也能离开原子回到真空。这是亲合势。总的电荷数是。（＋4,－4）－》 （＋4，－4）＋1，或 （＋4,－4）－1
而电离能是将原属于原子的最外层的电子脱离到真空出去需要的能量，即 （＋4,－4）-> (+4, -3)，这是电离能。
不知我的理解对不对？ 第二个对的，第一个不大对，是这样的，一个原子比如说氟原子，外层有7个电子，但是通常8个电子才达到饱和，所以这个氟原子很愿意再吸收一个电子从而使外层轨道饱和，这个过程如果发生在真空中的氟原子，那么所放出的能量就是亲和势
比如说纳，外层只有一个电子，为了达到饱和，他比较愿意失去一个电子
对于轨道，也就是能级，理论上是有无穷多的，只要有自由电子能进入轨道，由于核的吸引力，电子就可以在轨道上停留，但是由于原子本身也有很多点子，电子根电子还有排斥力，所以就要看吸引力和排斥力之间谁占上风了。 那对于钠来说，电离能和亲合势的区别是什么？仅仅是一个得到，一个失去电子么？
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2006-9-28 15:14 编辑 ] 本来就是这样的啊，难道一个定义对于不同的元素还有不同的结果吗？ 对于金属来说，这个亲合势是不是通常很大，因为它们基本上都是失去电子？而且它们能否保持这种不稳定状态。 应该是很小，他们不愿意接受电子，electron affinity 很弱 亲合能不是释放能量的么，如果很小，Potential Barrier岂不是很低，很easy的就得到电子？ 这个是释放，不是得到，affinity 是衡量得到电子的一种能力，你google一下再好好看看，我都快被你弄糊涂了
potential barrier 是跟两个原子的距离有关，跟自由电子是两回事啊 或者我们这样子理解，一个电子在真空中的能量我们可以认为是A，当这个电子被金属吸引后，电子的能量就变成了b，很明显B<A,多余的能量就释放了出来，以什么形式释放我们暂且不考虑。电子是愿意从高能级像低能级跃迁的，因为这样更稳定。但是当B和A相差不多的时候，由于电子除了受吸引力外还要考虑金属中电子的排斥力，这样子的话，电子就不愿意从A跃迁到B了，我们可以理解为金属吸引电子的能力比较弱，也就是说B-A的差很小，即亲和势很小 呵呵，看来是初学者的烦恼。
在我们的半导体里，掺三价的Bor原子的affinity比掺五价的Phosphor原子的affinity要低，但照理来说三价的是Accptor，更容易得到电子。所以有点糊涂 原帖由 eisenstange 于 2006-9-28 16:12 发表
呵呵，看来是初学者的烦恼。
在我们的半导体里，掺三价的Bor原子的affinity比掺五价的Phosphor原子的affinity要低，但照理来说三价的是Accptor，更容易得到电子。所以有点糊涂
你这么说我觉得你连半导体的这个donor和acceptor都没搞明白，参杂后的affinity是要考虑donant的，B比P的affinity低,所以这个结果是很正常的
至于B作为acceptor是因为它的电子少，但是却可以提供空穴，实际上空穴也是可以移动的，p型半导体就是空穴的移动。他并不是接收电子，而是提供可移动的载流子，空穴和电子都是载流子 参杂后的affinity是要考虑donant，这个我知道，而我同时也知道，这个affinity的变化，和掺杂的元素，以及杂质的浓度是有关系的，比如在PN结中，导带底一直随着空穴的浓度降低而降低，同时affinity的大小却随着这个降低而增加， 所以我认为这个affinity的变化，最终是和Bor或者Phosphor有关的。电子和空穴的导电是两种不同的机制，所以我认为这个affinity还不能完全的如上面讨论的来对待。因为在Banddiagram上，affinity是从真空到导带底，也就是说，只计算已经在导带的电子到真空的能量差，而对于非金属元素，最外层的电子一般不在导带上（绝对0度情况下），而处于共价键中，所以affinity作为吸收电子而释放的能量，我还是有些糊涂。只有一种说法，即affinity不仅仅是对单个原子，而且要同时考虑化学键。 感觉又回到起点了，对了，空穴的能量，你能给我解释解释么？对着我很难理解。实际上是核的引力，如何转嫁到电子的能量上去了呢？ 正常情况下，按基本的理论是没有电子在导带的，价带到导带有个能隙，金属可以导电因为这个能隙比较小而以。你的理解从一开始就不对，还有你说的那一些东西我认为你需要从头到尾好好看一遍书了，看完再来问吧，你这些东西不清楚，根本就是怎么讲都不清楚
空穴的能量很简单，电子跃迁后，留下一个空穴，这个空穴就带正电，自然有能量，这个本来就是一个抽象的概念，如果你实在理解不了也没办法了。。。。
“比如在PN结中，导带底一直随着空穴的浓度降低而降低，同时affinity的大小却随着这个降低而增加“， 能说出为什么吗？不要只记住结论，你搞清楚原因就可以理解了
“最终是和Bor或者Phosphor有关的“ 跟参杂浓度有关，我不明白你为什么非要讨论affinity,金属中重要的是negativity
"即affinity不仅仅是对单个原子，而且要同时考虑化学键" 考虑化学键就不是affinity了，就是negativity了，我不明白你为什么会得出这些奇怪的理论
你自己看书吧，你这不是差一点点的问题，从一开始就没有搞明白，难道你们教授没有给你们讲课吗？这种东西应该会讲得很清楚地，当时不明白为什么不直接问教授呢？
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