ai(3) rubin的新增量
作者：微信文章昨晚美股大跌，A股业绩期后妖股横行，涨价题材过后只能躲进非AI线了，感觉开始交易anything but AI，短期利空会放大，Ai（2）利空结束了吗？
云的利润这么低，难怪腾讯说买还不租，还能租到好卡----但是这里有个问题：是腾讯不想扩大资本开支，还是想等，等晶圆厂到位放大开支?如果是后者，我们要学习国产链，等待时机。
趁这个时候开始再次学习北美算力方向，为下一波到来能及时上车做准备。
11月，Rubin平台的开发整体按计划推进，且部分环节略有提前，市场对其信心增强。
按计划推进，芯片已进入早期制造阶段：
Rubin的所有六个芯片（构成完整平台）已经完成流片（tape-out）并进入早期制造/试点生产阶段。
英伟达高管在沟通中确认，芯片正在晶圆厂内，为2026年的量产做准备。
量产时间线明确，略有“小幅提前”迹象：
初步试产台积电预计在本月完成Rubin芯片的试生产。随后，英伟达将在本季度（4Q25）向供应链合作伙伴发送样品，为2026年下半年的量产做准备。
量产起点：普遍共识是大规模量产（Volume Production）将在2026年中期（mid-2026）开始。瑞银（UBS）指出，他们观察到时间点有“小幅提前”的迹象，预计小批量晶圆出货在2026年第二季度，有意义的量产出货从2026年第三季度开始。
系统级部署时间：
服务器机架级量产和出货预计从2026年下半年（2H26）开始，并在2026年第四季度至2027年第一季度开始放量。
看起来还比较久，但是如果下游需求有大的增量，应该会提前炒
Rubin为何还未量产？总结主要原因
并非因为设计延迟，而是由于其系统级复杂度的跃升，需要整个供应链同步升级和验证。主要原因如下：
供电系统颠覆性变革：
Rubin机柜功耗将大幅提升至190kW甚至更高（对比GB200的120kW）。需要从传统的48V供电转向800V高压直流（HVDC） 架构，并采用独立的电源柜。
散热技术面临极限挑战：
单芯片TDP从B200的1000W升至1800W以上，传统冷板技术接近极限。需要导入更先进的微通道液冷（MCL） 和可能的新型界面材料（TIM）-----《野村-亚洲AI散热行业核心报告》）
互联与封装复杂度提升：
采用更复杂的2.5D/CoWoS-L封装，芯片面积更大，对interposer（中介层）和基板的要求更高。正交背板等新连接方案取代部分线缆，其40层以上的高多层PCB设计和良率是新的挑战。
Rubin将带动的新增量（投资机会）
不仅是性能升级，更是架构和系统的全面革新
领域具体新增量说明1. 封装与测试CoWoS-L需求增长、测试内容大增• 一片中介层（interposer）切的芯片数量减少：Rubin一片约切6颗（vs. Blackwell的15-16颗），意味着每颗芯片消耗的CoWoS产能更多。
• 测试强度和复杂度提升：Jefferies指出，Rubin的测试时间可能翻倍，测试内容价值将从Blackwell的95美元/颗升至150美元/颗。日月光（ASE）和京元电子（KYEC）将主要受益。
2. 光学模块1.6T光学模块需求激增
• 配比提升：GPU与1.6T光模块的配比从1:2.5提升至1:5。这是最重要的增量之一。
3. 板材与PCBCCL材料升级至M9、PCB层数大增
• 材料升级：升级到M9级
• 新结构和层数：中板（Midplane） 带来额外价值。正交背板等新设计也将推动高端PCB需求。
4. 散热与电源液冷普及、GaN功率器件• 全面液冷：
• GaN（氮化镓）应用：为应对800V直流架构和更高功率，GaN功率器件的使用量预计有10倍以上的增长空间。
5. 内存HBM4与GDDR7• Rubin R200：将采用288GB的HBM4，速度和带宽提升。
• 新增量CPX：专门用于推理的Rubin CPX将采用128GB GDDR7，这是全新的增量
你看，A股还是有很多可以根据rubin来炒的，更别说还有ASIC的增量信息
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